abonneren

Samsung introduceert 20nm flash in sd-kaartjes

Samsung blijft voorop lopen bij de ontwikkelingen van flash-geheugen. Zo maakt de Koreaanse elektronicafabrikant bekend dat 20nm flashgeheugen klaar is voor productie. De eerste proefexemplaren van sd-kaartjes met dit geheugen zijn nu beschikbaar.Het 20nm NAND-geheugen heeft een 50% hoger productieviteitsniveau dan de 30nm exemplaren, bij vergelijkbare betrouwbaarheid.
Het is geschikt om met 32 Gb (gigabit) chips sd-kaartjes te maken met een schrijfsnelheid van 10 MB/s en een leessnelheid van 20 MB/s.
Samsung begon met de productie van 32 Gb NAND met 30nm-technologie in maart 2009. Nu zijn de eerste proefproducten met 20nm-technologie beschikbaar. Er zullen sd-kaartjes komen van 4 GB tot 64 GB. Deze zullen eind van dit jaar beschikbaar zijn.

Geschreven door: Redactie PCM op

Category: Nieuws, Algemeen

Tags:

Laatste reactie