Op deze website gebruiken we cookies om content en advertenties te personaliseren, om functies voor social media te bieden en om ons websiteverkeer te analyseren. Ook delen we informatie over uw gebruik van onze site met onze partners voor social media, adverteren en analyse. Deze partners kunnen deze gegevens combineren met andere informatie die u aan ze heeft verstrekt of die ze hebben verzameld op basis van uw gebruik van hun services. Meer informatie.

Akkoord
abonneren

Samsung introduceert 20nm flash in sd-kaartjes

Samsung blijft voorop lopen bij de ontwikkelingen van flash-geheugen. Zo maakt de Koreaanse elektronicafabrikant bekend dat 20nm flashgeheugen klaar is voor productie. De eerste proefexemplaren van sd-kaartjes met dit geheugen zijn nu beschikbaar.Het 20nm NAND-geheugen heeft een 50% hoger productieviteitsniveau dan de 30nm exemplaren, bij vergelijkbare betrouwbaarheid.
Het is geschikt om met 32 Gb (gigabit) chips sd-kaartjes te maken met een schrijfsnelheid van 10 MB/s en een leessnelheid van 20 MB/s.
Samsung begon met de productie van 32 Gb NAND met 30nm-technologie in maart 2009. Nu zijn de eerste proefproducten met 20nm-technologie beschikbaar. Er zullen sd-kaartjes komen van 4 GB tot 64 GB. Deze zullen eind van dit jaar beschikbaar zijn.

Geschreven door: Redactie PCM op

Category: Nieuws, Algemeen

Tags:

Nieuws headlines

Laatste reactie