Chipontwikkelaar MetaRAM wil met een nieuwe techniek de opslagcapaciteit van DDR3-geheugen verdubbelen. De fabrikant demonstreerde de vinding op IDF.DDR3-MetaSDRAM is bovendien razendsnel, zo belooft MetaRAM. Tijdens de keynote van Intel waren al Hynix-chips te zien waarin de technologie was toegepast: Intel's vicepresident Pat Gelsinger toonde ze tijdens zijn keynote. Het getoonde systeem was voorzien van 144 GB geheugen. De techniek waar DDR3-MetaSDRAM gebruik van maakt lijkt op dezelfde die MetaRAM eerder voor DDR2 gebruikte.
Daarbij werden vier 1 GB chips samengevoegd tot een virtuele chip van 4 GB. Een chip, die zich tussen het geheugen en de CPU bevindt zorgt ervoor dat de processor een enkele chip met viervoudige capaciteit ziet. Bij DDR2 was het daarbij mogelijk om de opslagcapaciteit per DIMM te viervoudigen, zonder dat er wijzigingen in hard- en software nodig zijn.
De nieuwe DDR3 MetaSDRAM-modules zijn verkrijgbaar met een capaciteit van 4, 8 en 16 GB. Vanaf oktober zal de productie van 4 en 8 GB modules van start gaan, in december volgen ook de modules van 16 GB.
Via: MetaRAM