abonneren

MetaRAM verdubbelt de opslag van DDR3

Chipontwikkelaar MetaRAM wil met een nieuwe techniek de opslagcapaciteit van DDR3-geheugen verdubbelen. De fabrikant demonstreerde de vinding op IDF.DDR3-MetaSDRAM is bovendien razendsnel, zo belooft MetaRAM. Tijdens de keynote van Intel waren al Hynix-chips te zien waarin de technologie was toegepast: Intel's vicepresident Pat Gelsinger toonde ze tijdens zijn keynote. Het getoonde systeem was voorzien van 144 GB geheugen. De techniek waar DDR3-MetaSDRAM gebruik van maakt lijkt op dezelfde die MetaRAM eerder voor DDR2 gebruikte.
Daarbij werden vier 1 GB chips samengevoegd tot een virtuele chip van 4 GB. Een chip, die zich tussen het geheugen en de CPU bevindt zorgt ervoor dat de processor een enkele chip met viervoudige capaciteit ziet. Bij DDR2 was het daarbij mogelijk om de opslagcapaciteit per DIMM te viervoudigen, zonder dat er wijzigingen in hard- en software nodig zijn.

De nieuwe DDR3 MetaSDRAM-modules zijn verkrijgbaar met een capaciteit van 4, 8 en 16 GB. Vanaf oktober zal de productie van 4 en 8 GB modules van start gaan, in december volgen ook de modules van 16 GB.

Via: MetaRAM

Geschreven door: Redactie PCM op

Category: Nieuws, Algemeen

Tags:

Nieuws headlines

woensdag 28 februari

Laatste reactie

Op deze website gebruiken we cookies om content en advertenties te personaliseren, om functies voor social media te bieden en om ons websiteverkeer te analyseren. Ook delen we informatie over uw gebruik van onze site met onze partners voor social media, adverteren en analyse. Deze partners kunnen deze gegevens combineren met andere informatie die u aan ze heeft verstrekt of die ze hebben verzameld op basis van uw gebruik van hun services. Meer informatie.

Akkoord